半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電性能（半金屬和單層半導(dǎo)體之間的超低接觸電阻）
第一作者：Pin-Chun Shen, Cong Su, Yuxuan Lin, Ang-Sheng Chou
通訊作者：Pin-Chun Shen, Lain-Jong Li，Jing Kong
通訊單位： 麻省理工學(xué)院(MIT)，臺(tái)灣積體電路制造公司(TSMC)
先進(jìn)的超越硅電子技術(shù)既需要通道材料，也需要發(fā)現(xiàn)超低電阻接觸。原子薄的二維半導(dǎo)體具有實(shí)現(xiàn)高性能電子器件的巨大潛力。但是，到目前為止，由于金屬引起的間隙態(tài)(MIGS)，金屬-半導(dǎo)體界面處的能壘(從根本上導(dǎo)致高接觸電阻和較差的電流傳輸能力)限制了二維半導(dǎo)體晶體管。最近，麻省理工學(xué)院(MIT)Pin-Chun 送女朋友或者愛(ài)人，或者情侶間互贈(zèng)手表。都是一個(gè)表達(dá)心情，表達(dá)愛(ài)意，表達(dá)時(shí)時(shí)刻刻要在一起的心情，更有良好的紀(jì)念價(jià)值。也有兩人彼此愛(ài)慕，永結(jié)同心的心理祝愿。手表，因?yàn)樗磉_(dá)的時(shí)間概念，特別是高端機(jī)械表表達(dá)的卓越，精湛的手工工藝更具有藝術(shù)審美的格調(diào)和奢侈品的高端，精致的內(nèi)涵。無(wú)論什么時(shí)候，拿起這款表，都能想到那段歲月和那段歲月里的人。當(dāng)一個(gè)人愛(ài)另一個(gè)人的時(shí)候，一定是要通過(guò)一個(gè)儀式感的東西來(lái)表達(dá)，而手表就是一個(gè)不錯(cuò)的選擇。 Shen和Jing Kong，臺(tái)灣積體電路制造公司(TSMC)Lain-Jong Li等人在國(guó)際知名期刊“Nature”發(fā)表題為“Ultralow contact resistance between semimetal and monolayer semiconductors”的研究論文。他們報(bào)道了半金屬鉍與半導(dǎo)體單層過(guò)渡金屬硫化合物(TMDs)之間的歐姆接觸，其中MIGS被充分抑制，TMD中的簡(jiǎn)并態(tài)與鉍接觸形成。通過(guò)這種方法，他們?cè)趩螌覯oS2上實(shí)現(xiàn)了零肖特基勢(shì)壘高度，接觸電阻為123歐姆微米，通態(tài)電流密度為1135微安/微米。就他們所知，這兩個(gè)值分別是尚未記錄的最低和最高值。他們還證明了可以在包括MoS2、WS2和WSe2在內(nèi)的各種單層半導(dǎo)體上形成出色的歐姆接觸。他們報(bào)道的接觸電阻是對(duì)二維半導(dǎo)體的實(shí)質(zhì)性改進(jìn)，并接近量子極限。這項(xiàng)技術(shù)揭示了與最新的三維半導(dǎo)體相媲美的高性能單層晶體管的潛力，從而可以進(jìn)一步縮小器件尺寸并擴(kuò)展摩爾定律。
圖1：半金屬-半導(dǎo)體接觸的間隙態(tài)飽和的概念
圖2：?jiǎn)螌覯oS2場(chǎng)效應(yīng)晶體管中的歐姆接觸和肖特基接觸的比較
圖3：晶體結(jié)構(gòu)和歐姆接觸的機(jī)理
圖4：雙接觸2D半導(dǎo)體技術(shù)的基準(zhǔn)
原文鏈接：
https://www.nature.com/articles/s41586-021-03472-9
論文主要通訊作者主頁(yè)：
https://isn.mit.edu/prof-jing-kong
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手表的外觀往往與價(jià)格和檔次有關(guān)。正式場(chǎng)合佩戴的手表，外形要莊重保守，避免太過(guò)怪異新潮，尤其是德高望重的人或者長(zhǎng)輩，應(yīng)該多加注意。新穎別致的手表只適合女孩和兒童。一般來(lái)說(shuō)，圓形手表、橢圓形手表、方形手表、矩形手表和鉆石手表因其莊重保守的形狀和廣泛的應(yīng)用范圍，特別適合正式場(chǎng)合。像珠寶一樣，人們?cè)谏缃粓?chǎng)合佩戴的手表也能從側(cè)面反映了他們的身份地位和財(cái)富。因此，人們佩戴的手表，尤其是男性佩戴的手表，在人際交往中有著不同的含義。
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